Samsung первой запустила продажи передовой памяти HBM4

В сегментах HBM3 и HBM3E корейский гигант Samsung Electronics ощутимо проиграл куда более скромной по размерам SK hynix, и теперь, с приходом поколений HBM4 и HBM4E, делает всё возможное, чтобы наверстать упущенное. На этой неделе компания объявила, что стала первым поставщиком клиентских образцов 12-слойной памяти HBM4E.

В том же пресс-релизе Samsung отдельно отметила, что серийное производство HBM4 уже запущено в текущем году, правда, имён заказчиков по этому направлению она раскрывать не стала. По словам представителей компании, нынешние образцы HBM4E уверенно работают на скорости 14 Гбит/с с заделом на разгон до 16 Гбит/с — это более чем на 20 % превышает показатели HBM4. Суммарная пропускная способность одного стека HBM4E достигает 3,6 Тбайт/с.

12-слойный стек HBM4E вмещает 48 Гбайт — на 30 % больше, чем у памяти предыдущего поколения. В планах также 8-слойные модули на 32 Гбайт и 16-слойные на 64 Гбайт. Кристаллы DRAM Samsung собирается выпускать по технологии 1c (шестое поколение 10-нм нормы), а базовые кристаллы возьмёт на себя контрактное подразделение компании, использующее 4-нм техпроцесс. Благодаря доработкам в архитектуре и упаковке энергоэффективность HBM4E выросла на 16 %, а теплоотдача улучшилась более чем на 14 % относительно прошлого поколения. Сроки начала массовых отгрузок HBM4E Samsung определит вместе с заказчиками — те, как подчёркивается в пресс-релизе, уже высоко оценили качество микросхем HBM4, поставки которых стартовали в феврале.

На фоне сообщения о старте отгрузок образцов HBM4E акции Samsung подорожали на 6,51 %. Главный конкурент — SK hynix — лишь в прошлом месяце заявил, что отправит первые образцы HBM4E клиентам во второй половине текущего года, а до серийного производства этой памяти доберётся только к 2027 году.